Tranzistorul cu efect de camp
Figura 2. Structura inerna a tranzistorului cu efect de camp cu poarta izolata
Pana la o anumita tensiune de prag VP sarcinile de langa suprafata nu sunt suficiente pentru crearea unui canal conductor intre sursa si drena. Peste valoarea de prag campul reuseste sa aduca suficiente sarcini electrice langa suprafata si conductanta (inversul rezistentei electrice) canalului dintre sursa si drena creste.
Curentul ID care trece intre sursa drena va fi cu atat mai mare cu cat va fi mai mare tensiunea aplicata portii UGS si cu cat va fi mai mare tensiunea aplicata intre drena si sursa UDS (daca UGS >> UDS cu “+” pe drena si “–” pe sursa).
ID = (UGS –VP) UDSK
unde K este o constanta ce depinde de detaliile constructive ale tranzistorului.
Daca UDS > UGS curentul prin canal nu mai creste din cauza ingustarii canalului langa drena datorita campului invers
Figura 3. Caracteristica curent de drena in functie de tensiunea drena-sursa si gila-sursa
Tranzistor Caracteristici Pret
BS170 UDSmax = 60V/ IDmax = 0,5A/ Pmax =0,83W/ RDSmin =<5 0,5DM
IRF830 UDSmax = 500V/ IDmax = 4,5A/ Pmax =74W/ RDSmin =1,5 3DM
BUK455-60 UDSmax = 60V/ IDmax = 41A/ Pmax =125W/ RDSmin =0,04 3DM
IRF740 UDSmax = 400V/ IDmax = 10A/ Pmax =125W/ RDSmin =0,55 4DM
BUZ11 UDSmax = 50V/ IDmax = 30A/ Pmax =75W/ RDSmin = 0,05 2,5DM
